提起存儲器IC的分類，大家馬上想起儲器可以分為RAM和ROM兩大類。
     ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM(有時直接稱為ROM)、PROM(Programmable ROM：可編程ROM，特指一次編程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可編程的ROM，擦除時用紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。
      以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。
      但問題是，ROM明明叫只讀存儲器，也就是不可寫的存儲器，現(xiàn)實是除了掩膜ROM是不可寫的外，PROM、EPROM、EEPROM事實上都是可寫的。它們的名稱中還帶有“ROM”是名不副實的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM這幾種存儲器的共同特點其實是斷電后，所存儲的數據不會消失，所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。
      SRAM、DRAM的共同特點是掉電后數據會丟失，所以也可稱為易失性存儲器(Volatile memory)。
      于是，存儲器從大類來分，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。
      后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲，簡稱閃存)，掉電后數據也不容易丟失，所以也屬于非易失性存儲器。Flash Memory的名稱中已經不帶ROM字樣了，但是傳統(tǒng)的分類方法中，還是把Flash Memory歸類為ROM類，事實上此時是因為這些存儲器都是非易失的。
      把存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器就萬事大吉了么？
      令人糾結的是，有一種新的存儲器，它既是非易失的，同時又是能夠高速隨時讀寫數據的，也就是說能夠隨機存取的。這種存儲器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。
于是，存儲器的分類令人糾結。傳統(tǒng)的分為RAM與ROM的方式本來就不科學。如果分成RAM與非易失性存儲器這兩大類，也不科學，因為這個分類本身就不是按同一個標準分的，導致FRAM即屬于RAM，又屬于非易失性存儲器。如果只分成易失性存儲器和非易失性存儲器，又導致FRAM與SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，憑什么分開是吧。
      所以：存儲器分成隨機存取存儲器和非隨機存取存儲器兩大類芯片比較合適。
存儲器的分類如下(按存取速度分類)：
1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；
2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。
差強人意的分類為(按易失性分類)：
1、易失性存儲器：SRAM、DRAM；
2、非易失性存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。