Microchip型號23LC512容量512Kbit串行SRAM，與現(xiàn)在許多MCU系列的串行外設(shè)接口端口連接。它還可以通過使用在固件中正確編程以匹配SPI協(xié)議的離散I/O線與沒有內(nèi)置SPI端口的微控制器連接。23LC512還能夠在SDI/SQI高速SPI模式下工作。
 
Microchip微芯23LC512存儲器通過簡單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)加上單獨的數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線。通過芯片選擇(CS)輸入控制對器件的訪問。如果應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率，還支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對存儲器陣列的無限制讀寫。23LC512采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括8-引線SOIC、PDIP和先進(jìn)的8引線TSSOP。更多產(chǎn)品相關(guān)信息可咨詢英尚微電子。
 
特征：
•SPI兼容總線接口：
-20MHz時鐘頻率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技術(shù)：
-讀取電流：3mA，5.5V，20MHz
-待機(jī)電流：+85℃時為4μm
•無限的讀寫周期
•零寫入時間
•64Kx8位組織：
-32字節(jié)頁面
•讀取和寫入的字節(jié)、頁和順序模式
•高可靠性
•支持的溫度范圍：
-工業(yè)(I)：-40℃至+85℃
-汽車(E)：-40℃至+125℃
•符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
•8引腳SOIC、TSSOP和PDIP封裝

串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器，它提供了一種簡單且廉價的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多RAM。這些 8 引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間，使其成為涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、音頻、視頻、互聯(lián)網(wǎng)、圖形和其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的理想選擇職能。支持 SPI、SDI 和 SQI™ 總線模式。

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