SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
 
SRAM它實(shí)際上是一個(gè)非常重要的存儲(chǔ)器，用途非常廣泛。SRAM數(shù)據(jù)完整性可以在快速讀取和刷新時(shí)保持。SRAM以雙穩(wěn)態(tài)電路的形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。SRAM目前的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。SRAM大部分只用于CPU內(nèi)部一級(jí)緩存及其內(nèi)置二級(jí)緩存。只有少量的網(wǎng)站服務(wù)器及其路由器可以使用SRAM。

 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)體由多個(gè)基本存儲(chǔ)電路組成，每個(gè)基本存儲(chǔ)電路對(duì)應(yīng)一個(gè)二進(jìn)制數(shù)位。SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管中，形成兩個(gè)交叉耦合反向器。存儲(chǔ)單元有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，一般為0和1。此外，還需要兩個(gè)訪(fǎng)問(wèn)晶體管來(lái)控制存儲(chǔ)單元在讀或?qū)戇^(guò)程中的訪(fǎng)問(wèn)。因此，存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。
 
SRAM內(nèi)部包含的存儲(chǔ)陣列可以理解為表格，數(shù)據(jù)填寫(xiě)在表格上。就像表格搜索一樣，特定的線(xiàn)地址和列地址可以準(zhǔn)確地找到目標(biāo)單元格，這是SRAM存儲(chǔ)器尋址的基本原理。這樣的每個(gè)單元格都被稱(chēng)為存儲(chǔ)單元，而這樣的表也被稱(chēng)為存儲(chǔ)矩陣。地址解碼器將N個(gè)地址線(xiàn)轉(zhuǎn)換為2個(gè)N立方電源線(xiàn)，每個(gè)電源線(xiàn)對(duì)應(yīng)一行或一列存儲(chǔ)單元，根據(jù)地址線(xiàn)找到特定的存儲(chǔ)單元，完成地址搜索。如果存儲(chǔ)陣列相對(duì)較大，地址線(xiàn)將分為行和列地址，或行，列重用同一地址總線(xiàn)，訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)搜索地址，然后傳輸列地址。

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