MRAM（磁性隨機存儲器）作為一種非易失性存儲解決方案，正以其獨特優(yōu)勢逐步改變關(guān)鍵任務(wù)領(lǐng)域的存儲架構(gòu)。英尚微電子所代理的Everspin MRAM，憑借卓越的技術(shù)特性，為眾多高要求應(yīng)用存儲提供了理想選擇。
 

 

MRAM（磁性隨機存儲器）利用磁阻效應(yīng)存儲數(shù)據(jù)，兼具SRAM的高速讀寫性能與Flash的非易失特性。與傳統(tǒng)存儲器相比，它無需電力即可永久保存數(shù)據(jù)，且具備近乎無限的讀寫壽命，有效解決了閃存寫入速度慢、耐久性有限以及SRAM需后備電池等問題。
 

以Everspin典型型號MR256D08B為例，這款256Kb×8器件支持寬電壓范圍，采用小型BGA封裝，可單芯片替代閃存、SRAM、EEPROM等多類存儲器，降低設(shè)計復(fù)雜度與物料成本。MRAM磁性隨機存儲器支持+1.65至+3.6伏的I/O電壓。MR256D08B提供SRAM兼容的45ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。MRAM磁性隨機存儲器中的數(shù)據(jù)在斷電后仍可安全保存超過20年，且內(nèi)置低壓抑制電路能在意外斷電時自動寫保護，防止數(shù)據(jù)損壞。
 

MRAM磁性隨機存儲器MR256D08B是必須滿足以下要求的應(yīng)用的理想存儲解決方案。永久存儲和快速檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序。MR256D08B采用8 mm x 8 mm、48引腳球柵陣列(BGA)小尺寸封裝，具有0.75毫米球心。MR256D08B在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。Everspin MRAM磁性隨機存儲器提供的工作溫度是0至+70°C。

Everspin的并行接口MRAM（如8位/16位型號）提供35/45ns的訪問時間，與SRAM時序完全兼容，可實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)存取。其無限次讀寫耐久性遠超閃存與EEPROM，適用于頻繁寫入的場景。Everspin MRAM具備寬廣的工作溫度范圍與強抗干擾能力，符合RoHS標準，已在航天、車載、能源等領(lǐng)域經(jīng)過超過15年的成熟應(yīng)用驗證，技術(shù)可靠性備受認可。
 

英尚微電子作為Everspin的授權(quán)合作伙伴，不僅提供全系列MRAM磁性隨機存儲器產(chǎn)品，還能針對實時傳感器處理、數(shù)據(jù)記錄、航空電子及空間系統(tǒng)等應(yīng)用，提供適配的技術(shù)支持與解決方案。借助Everspin MRAM的高性能與高可靠性，企業(yè)可有效提升系統(tǒng)響應(yīng)速度、延長設(shè)備壽命，并降低維護成本。

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Everspin
 

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