Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。  在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎(chǔ)。下面介紹關(guān)于切換MRAM技術(shù) 
 

切換MRAM使用1個晶體管，1個MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設(shè)計，可提供高可靠性。數(shù)據(jù)在溫度下20年始終是非易失性的。

在讀取期間，傳輸晶體管被激活，并且通過將單元的電阻與參考器件進(jìn)行比較來讀取數(shù)據(jù)。在寫入期間，來自寫入線1和寫入線2的磁場會在兩條線的交點處寫入單元，但不會干擾任一條線上的其他單元。

EVERSPIN MRAM產(chǎn)品采用一個晶體管，一個磁隧道結(jié)（MTJ）存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定的磁性層，薄的電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。
 

當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，從而在單個無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。 

 
Everspin MRAM器件旨在結(jié)合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統(tǒng)提供“即時接通”功能和斷電保護(hù)。 
 
 本文關(guān)鍵詞： MRAM

上一篇文章：靈動微MCU測試過程中確保頻率校準(zhǔn)方法

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。