IoT RAM即是物聯(lián)網RAM,是基于PSRAM技術的技術，它增加了其他接口選項，例如大多數MCU/FPGA使用的低引腳數Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統(tǒng)級封裝（SiP）選項比內部SRAM更大的內存。

 

物聯(lián)網ram繼承了PSRAM的積極特性-結合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術，該接口簡化了產品設計，與SRAM相比降低了產品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間；也可以從待機模式瞬時喚醒；IoT RAM還允許超低電流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取決于密度。密度越高，固定功率開銷趨勢就越低。

 

 

圖1 IoT RAM在需要擴展內存的IoT/嵌入式應用程序中占據了最佳中間地帶

 

由于PSRAM解決了與IoT/嵌入式應用中類似的設計約束，因此可以在功能電話產品中找到一席之地。物聯(lián)網RAM基于PSRAM并通過低引腳數SPI或SiP選項進行接口，是需要性能，低成本和響應性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數的SPI接口，可以進一步提高基于MCU/SoC/FPGA的設備的系統(tǒng)成本效率。

 

AP Memory具有成本效益的IoT RAM解決方案與大多數MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通過“系統(tǒng)級封裝”（SiP）選項，AP內存啟用了“超越摩爾”，這是增加系統(tǒng)內存的另一種方法。業(yè)界領先的半導體供應商AP Memory授權英尚微電子成為其核心一級代理商，提供的IoT RAM器件具有高速，低引腳數接口，它最適合于低功耗和低成本便攜式應用。 

AP Memory IoT RAM型號表

Density	Part Number	Interface	Organization	Data rate (Mbps)	Voltage (V)	Package
256Mb	APS256xx	CellularRAM PSRAM	x16 ADMUX	333	1.8	54ball FBGA
128Mb	APS12808x-xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	400	1.8	By request
128Mb	APS12808x-3xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	266	3	By request
128Mb	APS128xx	CellularRAM PSRAM	x16 ADMUX	333	1.8	54ball FBGA
64Mb	APS6404x-xx	Quad SPI PSRAM	x4 Quad SPI	266	1.8	APS6404x-xx-SN/ZR
64Mb	APS6404x-3xx	Quad SPI PSRAM	x4 Quad SPI	266	3	APS6404x-3xx-SN/ZR
64Mb	APS6408x-xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	400	1.8	APS6408x-xx-BA
64Mb	APS6408x-3xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	266	3	APS6408x-3xx-BA
64Mb	APS64xx	CellularRAM PSRAM	x16 ADMUX	333	1.8	54ball FBGA
32Mb	APS3208x-xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	400	1.8	By request
32Mb	APS3208x-3xx	Octal SPI PSRAM	x8 Octal SPI	266	3	By request
32Mb	APS32xx	CellularRAM PSRAM	x16 ADMUX	333	1.8	54ball FBGA
16Mb	APS1604x-xx	Quad SPI PSRAM	x4 Quad SPI	288(SDR)/333(DDR)	1.8	APS1604x-xx-SN/ZR
16Mb	APS1604x-3xx	Quad SPI PSRAM	x4 Quad SPI	288(SDR)/333(DDR)	3	APS1604x-3xx-SN/ZR

 

本文關鍵詞：ram

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