近期有消息稱美光將會退出NOR Flash市場，擬處理旗下NOR芯片工作，并傳出華邦電和兆易創(chuàng)新可能是收購的買家。美光內部證實確實有這方面的計劃，但并未透露更多的細節(jié)。華邦電總經(jīng)理詹東義則說還沒聽說此事，但是會鄭重地進一步研究。
      隨著數(shù)據(jù)存儲需求的不斷擴大，存儲芯片需求量不斷增加，2016年DRAM和NAND Flash產(chǎn)品嚴重缺貨，NAND Flash漲價將近一倍。相比之下，NOR Flash市場需求和價格顯得門可羅雀。美光調整業(yè)務架構也是為了集中精力于DRAM和NAND Flash市場，更有效的利用現(xiàn)有優(yōu)勢。
    2017年初NAND Flash和DRAM市場供貨緊張未見明顯改善，而且NAND Flash技術正在加快向3D NAND過渡，DRAM制程也要向10nm級轉換，對技術、量產(chǎn)等的要求不斷提高。美光作為第三大DRAM生產(chǎn)商，也是關鍵的NAND Flash供應商，2017年在保證DRAM和3D NAND切換順利的同時，還將以提升生產(chǎn)效率為目標。
      美光(Micron)合并華亞科后，美光的DRAM重要生產(chǎn)基地設立在臺灣，內部設定是以三星為目標追趕。美光執(zhí)行長去年底稱要加大對臺灣的投資，目前臺灣美光員工約6000人，將再招集1000人加入臺灣美光，加快DRAM先進制程技術的發(fā)展。
      據(jù)悉，美光臺中廠和美光桃園廠目前分別生產(chǎn)25nm和20nm制程技術，臺中廠會率先導入美光最先進的1xnm制程，目前已經(jīng)在進行制程轉換，2016年、2017年預計投入20億美元，直接由25nm轉進1xnm制程，預計下半年1xnm投片量可過半。
      NAND Flash方面，美光的32層3D NAND為目前國內市場各品牌SSD的主要貨源之一，64層3D NAND已于2016年12月送樣，2017年將逐步進入量產(chǎn)階段。新加坡IMFS Fab10N工廠在2016年初逐步增加32層3D NAND，減少16nm MLC比例，2017年逐步轉向64層3D NAND生產(chǎn)。新加坡IMFS Fab10X預計在2017年Q1開始試產(chǎn)，主要生產(chǎn)64層3D NAND，大連Fab68也預計2017年中期轉至64層量產(chǎn)。

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