STT-MRAM是一種顛覆性技術，可以在從消費電子和個人計算機到汽車和醫療，軍事及太空等許多領域，改變產品的性能。它還有潛力在半導體工業中創造新的領域，并使尚未設想的全新產品成為可能。STT-MRAM在關鍵的初始市場上已取代嵌入式技術（eSRAM，eFlash和DRAM），并提供65nm及更高的新功能。在汽車應用中比eFlash具有更高的速度和更低的功耗，并且比eSRAM密度更高。
 
在便攜式和手機應用中，它可以消除多芯片封裝（MCP），提供統一的內存子系統，并降低系統功耗以延長電池壽命。在個人計算機中可以代替SRAM用于高速緩存，閃存用于非易失性緩存以及PSRAM和DRAM用于高速程序執行。
 
如今STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼，并將數據傳輸到SRAM充當緩沖區或高速緩存。例如低端手機同時使用NOR和SRAM，可以很容易地用單個STT-MRAM芯片替換它們。
 
將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進行比較，STT-MRAM的讀寫時間分別為2到20納秒（ns），而相變RAM（PRAM）的讀取時間為20到50ns，寫入的時間為30ns。此外STT-MRAM的耐久性在>1015時不受限制，而PRAM小于1012。
 
盡管這不是一項新技術，但PRAM最近受到了相當大的關注。許多領先的半導體公司都在PRAM上進行投資并開發自己的IP。盡管它是令人欽佩的技術，但與STT-MRAM相比，PRAM具有有限的耐用性和較慢的速度。
 
硫族化物材料通常為Ge2Sb2Te5，也稱為GST，用于PRAM中進行數據存儲。PRAM通過施加熱量來利用硫屬元素化物GST的結晶態和非晶態之間的可逆相變，其中結晶GST具有低電阻率，非晶GST具有高電阻率。數據“0”對應于結晶態，而數據“1”對應于非晶態。
 
狀態之間的切換時間大于20ns，這意味著PRAM無法取代SRAM，因為它的運行速度相當慢。重置位狀態所需的時間必須較長。如果不是則相變材料冷卻太快而無法達到結晶狀態。由于相的不斷變化和施加到其上的熱量，會導致材料劣化，因此耐久性有限。
 
RRAM或電阻式存儲器依賴于電場引起的電阻變化。與PRAM相比，它處于更早期的發展狀態，但是在可靠性和耐用性方面也遭受類似的問題。此外許多建議的RRAM材料中涉及的切換機制還沒有得到很好的理解。
 
FRAM或鐵電RAM使用鐵電材料存儲極化。它遭受有限的讀取耐久性和破壞性讀取過程。同樣它的耐用性約為1012個周期，雖然適用于閃存更換，但不能用作通用內存。
 
Everspin Technologies，Inc是設計制造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM廣泛應用在數據中心，云存儲和能源及工業和汽車市場中。Everspin代理商英尚微電子支持提供產品應用解決方案等技術支持。  
 

更多詳情點擊該鏈接：http://www.abab47.cn/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM   

相關文章：MRAM的存儲原理

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。