Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來的一家半導體科技公司，以領導非易失性MRAM存儲芯片為公司主導致力于非易失性存儲芯片的發(fā)展，是全球唯一一家專業(yè)生產(chǎn)銷售磁性隨機存取內存(MRAM)，目前該產(chǎn)品已經(jīng)應用于多個行業(yè)，如人工智能，金融數(shù)據(jù)等。
 
Everspin一款串口mram芯片，型號為MR25H10CDF，工作溫度范圍：-40℃to+85℃，是一款工業(yè)級別的存儲芯片，可用于工控設備的應用，特別是對溫度有嚴格要求的應用，存儲容量1Mb（128Kx8），數(shù)據(jù)位寬8位。
 
MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時，沒有寫入延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在內存中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。MR25H10是用于使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用的理想內存解決方案。封裝采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。兩與串行EEPROM，F(xiàn)LASH和FERAM產(chǎn)品兼容。
 
MR25H10CDF在各種溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍選項。
 
MR25H10CDF特點
•沒有寫延遲
•無限制寫耐力
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•電源損耗的自動數(shù)據(jù)保護
•塊寫保護
•快速，簡單的SPI接口，最高速度為40MHz時鐘速率
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封裝
•直接更換串行EEPROM，F(xiàn)lash，F(xiàn)eram
•AEC-Q100等級1選項
 
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。everspin MRAM 具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節(jié)能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應用。


本文關鍵詞：MR25H10CDF  

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