當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時(shí)候，我們可以通過給電腦加裝內(nèi)存條來改善電腦的性能。可以給單片機(jī)外加和內(nèi)存條效果一樣的SRAM來提升單片機(jī)的性能。
 
外部SRAM存儲器所提供比片內(nèi)存儲器更大的存儲容量，速度則是相當(dāng)快，但是稍略遜于片內(nèi)存儲器。特殊的SRAM可以具有更小或更大的容量。外部SRAM作為存儲中等大小的數(shù)據(jù)模塊的緩沖表現(xiàn)良好。可以使用外部SRAM作為不適合片內(nèi)存儲器且反應(yīng)時(shí)間又低于SDRAM的數(shù)據(jù)緩存。還可以將多個SRAM相組合以增加容量。
 
SRAM也是隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù)，反應(yīng)時(shí)間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短，而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。SRAM是大型LUT的理想存儲器種類，能夠儲存諸如對于片內(nèi)存儲器來說過于巨大的色彩轉(zhuǎn)換運(yùn)算法則數(shù)據(jù)。
 
外部SRAM作為執(zhí)行存儲器為無緩存的CPU工作時(shí)表現(xiàn)相對良好。當(dāng)CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應(yīng)時(shí)間時(shí)，外部SRAM的低反映時(shí)間特性有助于改善CPU的性能。
 
偉凌創(chuàng)芯外擴(kuò)SRAM芯片EMI7064是一款具有SPI 接口的SRAM芯片。采用低功耗CMOS技術(shù)的靜態(tài)存儲器,容量為64Mbit，8Mx8位組織和1Kbytes，電壓范圍為2.7~3.3V, 支持SPI/QPI SRAM接口。所有模式的20 MHz時(shí)鐘速率，支持?jǐn)U展溫度-25℃至+85℃范圍,工業(yè)溫度 -40℃至+85℃.封裝采用8引腳SOIC。該RAM可配置為1位輸入和輸出獨(dú)立或4位I/O公共接口。具有無限的讀寫周期,所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負(fù)責(zé)。
 
此款國產(chǎn)SPI SRAM存儲器只需要單片機(jī)支持SPI接口或者Quad SPI接口就可實(shí)現(xiàn)RAM資源外擴(kuò)，非常適合于各類智能硬件的應(yīng)用如圖像處理、數(shù)據(jù)加密、語音處理、流媒體應(yīng)用、數(shù)據(jù)采集、通信數(shù)據(jù)處理等。


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