NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無(wú)限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器中，并允許在不消耗電力的情況下調(diào)用數(shù)據(jù)。非常適合需要快速寫(xiě)入速度、高耐用性和即時(shí)非易失性的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)、智能儀表和網(wǎng)絡(luò)路由器等數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。

NV-SRAM的主要特征
快速訪(fǎng)問(wèn)-以20ns的速度執(zhí)行隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)讀寫(xiě)
無(wú)限耐力-提供無(wú)限的寫(xiě)入和讀取
節(jié)省空間-與BBSRAM相比占用更小的電路板空間
耐輻射-不受輻射引起的軟錯(cuò)誤的影響
 
NV-SRAM產(chǎn)品與EEPROM和BBSRAM（電池支持SRAM或BatRAM）解決方案相比，其消耗的有效電流更少。與電池支持的解決方案不同，NV-SRAM存儲(chǔ)器不需要外部電池來(lái)保持電量。因此NV-SRAM適用于智能電表等數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。無(wú)限耐用性和即時(shí)非易失性確保NV-SRAM在多個(gè)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中優(yōu)于現(xiàn)有存儲(chǔ)器（如EEPROM和BBSRAM）。

特征	非靜態(tài)SRAM	BBSRAM	EEPROM
密度	中等偏上	中等偏上	低 中
耐力	無(wú)窮	有限	低
保留	高的	低	中等
附加電池	NO	YES	NO
寫(xiě)時(shí)間	快速	中等	減緩

本文關(guān)鍵詞：NV-SRAM,SRAM

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