內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)。 不過，由于DRAM必須持續(xù)有電才能保存數(shù)據(jù)，而NAND Flash讀寫速度比DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼?zhèn)銬RAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 

                                    
       根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含F(xiàn)RAM、STT-MRAM、3D Xpoint 、CBRAM等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過，這些新興內(nèi)存技術(shù)中，除了少數(shù)存儲(chǔ)芯片例外，要發(fā)展到能跟NAND Flash、DRAM不相上下的程度，恐怕還需要很長(zhǎng)的一段時(shí)間，因?yàn)镈RAM與NAND Flash已具備極為龐大的經(jīng)濟(jì)規(guī)模，即便新興內(nèi)存技術(shù)在性能方面明顯優(yōu)于現(xiàn)有內(nèi)存，在供貨穩(wěn)定度、成本方面也未必能與現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)相抗衡。
      有鑒于此，某些新興內(nèi)存技術(shù)選擇朝利基市場(chǎng)發(fā)展，搶攻DRAM、NAND Flash不適合應(yīng)用的領(lǐng)域，例如柏士半導(dǎo)體(Cypress)、德州儀器(TI)、富士通微電子(Fujitsu)的FRAM，便主要鎖定汽車應(yīng)用或作為微控制器(MCU)的內(nèi)嵌內(nèi)存。

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