作為僅次于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）市場(chǎng)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，近幾年閃存芯片在全球消費(fèi)電子和通信產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)、平板電腦、手機(jī)、便攜式音樂播放器等帶動(dòng)下，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。然而閃存芯片的兩大類NAND Flash和NOR Flash卻經(jīng)歷著不同的命運(yùn)：前者市場(chǎng)盡管經(jīng)歷了多年跌宕起伏，但仍保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，未來前景可期；后者市場(chǎng)規(guī)模近年來則持續(xù)萎縮。 2012年，受終端消費(fèi)產(chǎn)品低迷、閃存產(chǎn)能過剩等因素的影響，全球閃存芯片市場(chǎng)銷售額出現(xiàn)7%以上的負(fù)增長(zhǎng)。然而得益于本土消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的穩(wěn)步發(fā)展，中國(guó)閃存芯片市場(chǎng)略有下降。 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，近年來國(guó)內(nèi)相繼崛起了一批優(yōu)秀IC設(shè)計(jì)企業(yè)，如展訊、銳迪科、格科微等，目前也有本土企業(yè)抓住機(jī)遇涉足閃存芯片市場(chǎng)。

一、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)波動(dòng)成長(zhǎng)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)加劇調(diào)整 作為全球最重要的電子產(chǎn)品制造基地之一，近幾年中國(guó)對(duì)閃存芯片的需求保持快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

 

     2012年，在全球金融低迷導(dǎo)致的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下降、閃存產(chǎn)能過剩等負(fù)面因素的影響下，中國(guó)閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模略微下降1.0%。形成這種局面的主要原因，除了電子整機(jī)需求低于預(yù)期外，2012年閃存產(chǎn)品單價(jià)大幅下降也是導(dǎo)致市場(chǎng)規(guī)模下滑的重要原因。 從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)與去年基本持平，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)633.7億元。根據(jù)存儲(chǔ)單元的不同，NAND Flash目前可以分為Single Layer Cell（SLC）、Multi-Level Cell（MLC）和Triple-Level Cell（TLC）三類，產(chǎn)品價(jià)格依次遞減。短時(shí)間內(nèi)MLC仍會(huì)是主流產(chǎn)品，SLC將繼續(xù)在企業(yè)級(jí)、服務(wù)器市場(chǎng)領(lǐng)域存活；隨著TLC性能的提升，其將成為未來中低端領(lǐng)域NAND Flash的主要產(chǎn)品。2012年SLC、MLC、TLC市場(chǎng)銷售額分別為39.9億元、447.4億元、146.4億元。

     同時(shí)，NOR Flash市場(chǎng)出現(xiàn)10%以上的萎縮，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)74.9億元。按NOR Flash接口方式分為Serial Flash（串口）和Parallel Flash（并口），2012年市場(chǎng)銷售額分別為29.7億元、45.2億元。由于在大容量存儲(chǔ)方面并無優(yōu)勢(shì)，近年來NOR Flash產(chǎn)品的容量規(guī)格基本穩(wěn)定。手機(jī)和筆記本電腦等傳統(tǒng)高利潤(rùn)的市場(chǎng)應(yīng)用，逐漸被低容量的NAND Flash所替代。與此同時(shí)，新興下游整機(jī)市場(chǎng)的帶動(dòng)效應(yīng)乏力，中國(guó)NOR Flash市場(chǎng)同全球市場(chǎng)一樣正經(jīng)歷著衰退期。此外，性價(jià)比更高的Serial Flash也在逐步替代Parallel Flash，這在一定程度上也拖累了整個(gè)市場(chǎng)銷售額的增長(zhǎng)。 未來3年，在中國(guó)消費(fèi)電子制造快速恢復(fù)和本土市場(chǎng)的穩(wěn)定增長(zhǎng)等有利因素的影響下，中國(guó)閃存市場(chǎng)將重回平穩(wěn)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤仍將是帶動(dòng)閃存市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Γ瑫r(shí)隨著閃存技術(shù)的不斷進(jìn)步，價(jià)格會(huì)持續(xù)走低，單顆芯片容量會(huì)越來越大，使用的領(lǐng)域會(huì)逐漸拓展，智能電視、汽車電子以及儀器自動(dòng)化等領(lǐng)域?qū)⒊蔀殚W存市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2015年，中國(guó)閃存市場(chǎng)有望超過1000億元。

二、企業(yè)之間競(jìng)爭(zhēng)加劇，先進(jìn)制程極為關(guān)鍵 NAND Flash市場(chǎng)近幾年的急速擴(kuò)張，給行業(yè)帶來了巨大波動(dòng)。

    
?       先是瑞薩（Renesas）的黯然離場(chǎng)，將技術(shù)轉(zhuǎn)讓給力晶（Powerchip）；接著是奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）的快速破產(chǎn)；然后是英特爾（Intel）和意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和閃存業(yè)務(wù)合并成立新公司恒憶半導(dǎo)體（Numonyx），可惜好景不長(zhǎng)，最后被美光（Micron）收購(gòu)，并且美光與英特爾在NAND Flash領(lǐng)域深入合作，共同投資建廠；2011年7月東芝（Toshiba）宣布與閃迪（Sandisk）共同投資新的制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)；2012年4月，三星宣布在西安建設(shè)閃存芯片工廠，項(xiàng)目總投資300億美元，預(yù)計(jì)建成后月產(chǎn)能達(dá)10萬片，此外，還加大京畿道華城16產(chǎn)線的投資，提高2012年投資額到47.8兆韓元。 與此同時(shí)，2012年NAND Flash廠商工藝線程紛紛達(dá)到20nm，未來積極布局1Xnm級(jí)別。這些行業(yè)巨頭通過不斷擴(kuò)大產(chǎn)能、提高技術(shù)實(shí)力、降低芯片價(jià)格等手段來?yè)屨夹袠I(yè)制高點(diǎn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈程度可見一斑。 表1 2008-2013年全球主要NAND Flash廠商工藝進(jìn)展 。

    在NOR Flash領(lǐng)域，由于產(chǎn)品在大容量和先進(jìn)制程方面與NAND Flash難以形成有效競(jìng)爭(zhēng)，因此部分企業(yè)一方面繼續(xù)追求先進(jìn)制程，另一方面為了尋找一線生機(jī)，謀求跨入新的領(lǐng)域，開拓新的市場(chǎng)，積極進(jìn)入低密度NAND Flash市場(chǎng)。 隨之而來的是全球NOR Flash市場(chǎng)日趨激烈的競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)內(nèi)企業(yè)兼并重組乃至申請(qǐng)破產(chǎn)的事件層出不窮。繼2010年美光收購(gòu)恒憶半導(dǎo)體后，2012年美商芯成ISSI收購(gòu)臺(tái)系NOR Flash供應(yīng)商常憶，Adesto Technologies也宣布收購(gòu)Atmel的Serial型NOR Flash晶片業(yè)務(wù)。

 

三、找準(zhǔn)產(chǎn)品市場(chǎng)定位，實(shí)現(xiàn)本土企業(yè)崛起 目前，由于智能手機(jī)、閃存卡、平板電腦和超極本應(yīng)用大量的NAND Flash，導(dǎo)致三星、東芝、美光等國(guó)際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高容量的NAND Flash產(chǎn)品。
    
        而飛索（Spansion）、旺宏（Macronix）、華邦（Winbond）也由NOR Flash業(yè)務(wù)拓展至低密度NAND Flash業(yè)務(wù)，同時(shí)，2012年三星宣布退出NOR Flash業(yè)務(wù)無疑給這個(gè)市場(chǎng)蒙上陰影。總之，國(guó)際大廠依靠技術(shù)、資金、產(chǎn)能等多方面的優(yōu)勢(shì)把控著閃存市場(chǎng)和產(chǎn)品趨勢(shì)。 進(jìn)軍中高端市場(chǎng)資金、技術(shù)、人才等因素困難重重，傳統(tǒng)的NOR Flash市場(chǎng)又逐漸萎縮，面對(duì)閃存芯片市場(chǎng)的激烈變化，國(guó)內(nèi)企業(yè)將如何應(yīng)對(duì)呢？面對(duì)實(shí)力的差距，如何做一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)場(chǎng)上的智者呢？ “欲占大路，先取兩廂”。“大路”就是以新技術(shù)、新工藝所驅(qū)動(dòng)的高端閃存芯片市場(chǎng)，如大容量的NAND Flash市場(chǎng)；“兩廂”就是利潤(rùn)薄、品種多、應(yīng)用領(lǐng)域分散的市場(chǎng)，如NOR Flash市場(chǎng)。 由于國(guó)際大廠閃存技術(shù)發(fā)展迅速，產(chǎn)品更新?lián)Q代很快，為了發(fā)展需要，常常會(huì)停掉一些對(duì)他們來說利潤(rùn)薄弱的落后產(chǎn)品線（如NOR Flash產(chǎn)品），而中國(guó)仍有大量使用中低端閃存的整機(jī)企業(yè)，這給本土芯片企業(yè)帶來了很好的切入機(jī)會(huì)。 兆易創(chuàng)新就是這樣一家本土閃存芯片企業(yè)，該企業(yè)抓住國(guó)際大廠逐步退出NOR Flash整體市場(chǎng)的機(jī)遇，積極拓展市場(chǎng)和行業(yè)應(yīng)用；同時(shí)順應(yīng)NOR Flash市場(chǎng)由并口轉(zhuǎn)為串口的產(chǎn)品和技術(shù)變革趨勢(shì)，推出技術(shù)領(lǐng)先產(chǎn)品。公司連續(xù)推出一系列大容量及低壓的Serial NOR Flash產(chǎn)品，涉及包括USB Key、DVD、數(shù)字機(jī)頂盒、手機(jī)、路由器等傳統(tǒng)行業(yè)應(yīng)用以及智能電視、工業(yè)控制等新興的行業(yè)應(yīng)用，取得了國(guó)內(nèi)整體NOR Flash市場(chǎng)第四的優(yōu)異成績(jī)，而排名前三位就是美光、飛索以及旺宏等國(guó)際大廠，并且在有良好發(fā)展前景的Serial Flash國(guó)內(nèi)細(xì)分市場(chǎng)中排名第一，市場(chǎng)份額仍在不斷的擴(kuò)大，成功地取得“兩廂”。然而，公司并沒有滿足NOR Flash市場(chǎng)給他們帶來的穩(wěn)定收入，他們的目標(biāo)是占領(lǐng)“大路”。公司投入大量的人力和資金積極開發(fā)低容量的NAND Flash，努力地縮小與國(guó)際大廠之間的差距，在NAND Flash芯片市場(chǎng)中伺機(jī)尋求機(jī)會(huì)。

 

       兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)芯片的工藝技術(shù)并沒有比國(guó)際大廠先進(jìn)，但是他們認(rèn)清市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，找準(zhǔn)產(chǎn)品定位，先占領(lǐng)國(guó)際大廠放棄的“兩廂”，從而獲得企業(yè)存在的契機(jī)，再劍指目標(biāo)――“大路”。 由此及彼，在如此全球化的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，中國(guó)IC設(shè)計(jì)企業(yè)在資金、技術(shù)、人才明顯處于劣勢(shì)的條件下，如果一味地與國(guó)外巨頭追求高性能，很容易在創(chuàng)業(yè)初期由于資金的大量投入無果，導(dǎo)致最后資金鏈斷裂而破產(chǎn)。國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)該揚(yáng)長(zhǎng)避短，先集中精力于中低端市場(chǎng)，依靠龐大的消費(fèi)者群體，逐步提高市場(chǎng)占有率，將中低端產(chǎn)品做好做精，培養(yǎng)品牌信任度與美譽(yù)度，并認(rèn)真積累技術(shù)、資金、人才等，再以實(shí)力徐圖發(fā)展高端產(chǎn)品。協(xié)調(diào)好眼前利益與長(zhǎng)遠(yuǎn)利益，蹲下去是為了跳得更高。