在日常生活中存儲(chǔ)器隨處可見，幾乎所有的電子產(chǎn)品中都有存儲(chǔ)器的存在，而且其性能是消費(fèi)電子產(chǎn)品重要的考量標(biāo)準(zhǔn)。中國(guó)作為電子產(chǎn)品消費(fèi)大國(guó)，因我國(guó)存儲(chǔ)芯片的技術(shù)發(fā)展有限，目前仍然是以進(jìn)口為主，為了擺脫受制于人的狀況，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)芯片國(guó)產(chǎn)化之路邁出了重要一步：芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程是中國(guó)政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)發(fā)展得到到國(guó)家政策的扶持，近期仍國(guó)家層面到地方層面的政策及資本的支持也是持續(xù)不斷。
      在國(guó)家政策扶持下，2016年各地紛紛傳出加碼存儲(chǔ)芯片的反響：北京的紫光集團(tuán)宣布投資300億美元做存儲(chǔ)器，武漢的武漢新芯籌備耗資240億美元打造國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器基地，合肥宣稱要打造IC之都，福建晉華也在摩拳擦掌。大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正熱火朝天地開展，初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)DRAM和3D NAND的生產(chǎn)，武漢新芯則專做NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后于三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)將近2個(gè)世代，但是大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。
                               
       隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及人民對(duì)存儲(chǔ)器需求的變化，存儲(chǔ)技術(shù)也發(fā)生了變化，在數(shù)據(jù)中心和一些相關(guān)的環(huán)境中，高端系統(tǒng)正在努力跟上數(shù)據(jù)處理需求日益增長(zhǎng)的步伐。SRAM是存儲(chǔ)器系統(tǒng)的第一層，被集成到處理器中用作高速緩存，以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的快速訪問。下一層便是DRAM，用作主存儲(chǔ)器。最后是用于存儲(chǔ)的磁盤驅(qū)動(dòng)器和基于NAND的固態(tài)硬盤（SSD）。
      Microchip推出擁有超強(qiáng)耐用性并可在斷電時(shí)保障數(shù)據(jù)安全的全新低成本、低風(fēng)險(xiǎn)存儲(chǔ)解決方案。新的I2C EERAM存儲(chǔ)器系列是一種實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便的非易失性SRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，適用于需要連續(xù)或即時(shí)記錄、更新或監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的各種應(yīng)用，比如計(jì)量、汽車和工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用。
      雖然今年半導(dǎo)體廠商的出貨預(yù)期普遍下調(diào)，但是存儲(chǔ)器作為一個(gè)銷售大戶似乎并沒有受到太大影響。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights大幅調(diào)高2016年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)期，據(jù)該機(jī)構(gòu)的最新報(bào)告，2016年全球集成電路銷售額將同比增長(zhǎng)1%，此前預(yù)測(cè)為下降2%，出貨量增長(zhǎng)也由此前的4%提升到6%。DRAM市場(chǎng)的紅火是IC Insights改變預(yù)期的主要原因。
       由于對(duì)明年世界經(jīng)濟(jì)及存儲(chǔ)器（DRAM和NAND閃存）價(jià)格繼續(xù)看好，IC Insights預(yù)計(jì)2017年全球集成電路銷售額將同比增長(zhǎng)4%。

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